社名非公開(機械・精密機器メーカー)
成膜プロセスエンジニア No.80493151の求人・転職情報

Job No.80493151

募集要項

仕事内容

半導体製造装置(プラズマCVD、プラズマALD-薄膜形成装置)
での薄膜形成プロセスの開発およびプロセス技術の改善、及び
デバイス層間絶縁膜(Low-k膜)、ゲート絶縁膜向けのHigh-k膜の新規開発

勤務地 東京都
予定年収 580万〜720万 ※経験に応ず
募集職種

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