次世代パワー半導体GaNのフォトリソグラフィ工程プロセス開発担当者化学・繊維・素材メーカー
化学・繊維・素材メーカー
【期待する役割】次世代パワー半導体GaNは、EVやデータセンターの省エネ・小型化に不可欠なキーデバイスです。当社は高品質かつ低コストな大口径GaN基板の安定供給を目指しています。本ポジションでは、GaN基板製造の下地工程(種結晶=シードの作製)におけるフォトリソグラフィ工程を中心に、プロセス改善・生産技術の確立をご担当いただきます。【業務内容】■プロセス開発・条件最適化GaN(窒化ガリウム)基板の製造プロセスにおける、フォトリソグラフィー工程やドライエッチング工程の条件検討及び最適化を行い、高品質なGaN基板を安定的に生み出すダイナミックな業務です。サファイア基板へのMOCVDによる薄膜形成後、プラズマCVDによるマスク形成、フォトレジスト塗布、パターニング、現像、ドライエッチング、レジスト除去までの一連の工程を扱います。マスクの形状・幅・高さ・材質はその後のHVP結晶成長の品質に直結するため、条件検討・最適化がこの技術の核心です。■評価データ、プロセスデータの解析、解析技術の開発自ら作成したサンプルを評価・解析し、結果を製造プロセスへ反映させます。専門的な知見を活かした高度な解析が、世界最高水準の製品の品質向上に直結する重要な役割です。■化合物半導体のエピタキシャル成長技術の開発、国内外の社外委託先検討及び技術開発MOCVD等による薄膜形成の経験も大いに活かせる環境です。【募集背景】当社が手掛ける「窒化ガリウム(GaN)基板」は顧客から極めて高い評価を得られ、実用化フェーズに到達しており事業拡大を加速しています。EV(電気自動車)やデータセンター、通信基地局など、急成長するパワーエレクトロニクス市場からの期待は高く、さらなるシェア拡大に向けた量産化の推進が急務です。この成長フェーズにおいて、中心的役割を担い、当社の技術的優位性をさらに盤石にする仲間を求めています。【魅力】・世界を変える技術の最前線に立つ GaNはEVやデータセンターなど、社会の基盤を支えるパワーエレクトロニクス分野で爆発的な普及が見込まれています。省エネ・小型化という社会課題を解決するキーデバイスの根幹を、技術で支えることができます。「次世代のインフラ」を社会へ実装する醍醐味を感じられるポジションです。・「作る技術」をゼロから確立する面白さ 「どうすれば高品質なものを安定して大量に作れるか」という量産の壁に挑むポジションです。 出来上がったマニュアル通りに動かすのではなく、「どうすればもっと効率よく、高品質に作れるか」を自ら考え、量産技術を創り上げていく醍醐味があります。自ら製造条件を調整し、現場を巻き込みながら課題を解決していく、あなたのアイデアと経験が、新たな標準プロセスを生み出します。・幅広い専門性とリーダーシップを発揮する機会 基礎的な検討から量産化まで、多様な工程・技術に携わる中で、専門性を深めるだけでなく、チームを牽引するリーダーシップも磨けます。若手育成や国内外の社外委託先との連携を通じて、技術とマネジメントの両面でキャリアを加速させることが可能です。【キャリアパス】本ポジションは、将来の技術リーダー、あるいはマネジメント職へのキャリアパスを想定しています。専門性を極めるだけでなく、チームやプロジェクトを牽引する役割を担い、当社のGaN事業をさらに発展させる中核人材としてご活躍いただけます。【働き方】・平均残業時間:30~40時間程度/月・フレックス制度:有・リモートワーク制度:有:週1日程度製造現場と密接に連携するポジションのため、稼働状況によっては出社が基本となりますが、データ取りまとめ等は在宅勤務も可能です。※将来的にグループ会社への在籍出向の可能性があります。
- 年収
- 700万円~1290万円
- 職種
- 研究・製品開発
更新日 2026.07.15