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ローム株式会社の中途採用・求人・転職情報

ローム株式会社の中途採用情報ページです。現在募集中の職種「半導体設計」「生産技術・プロセス開発」「人事・労務」の求人・採用情報や、事業内容、会社概要などをご紹介しています。

"ローム株式会社"

採用状況・特徴について

≪個々のユーザーニーズに応じた設計・生産を行う顧客密着型開発・営業を推進≫

■事業概要:・電子部品業界大手企業として、世界で有数の製品を数多く持っています。ダイオードなど半導体素子や抵抗器、顧客ニーズに応じたカスタムLSIが主力商品です。
■強み:・グローバルな時代だからこそ、「半導体のローム」は顧客企業になるべく近くにいたいと考え、 営業拠点を国内の主要な地域に展開しています。開発、QAセンターと一体になり、顧客課題を全力で解決します。・ロームグループの中核的な生産拠点として、タイ、フィリピンに次いで中国の天津の二工場を強化し、 グローバル戦略を拡大中しています。海外売り上げ比率は60%ですが、半分は日系企業のため、 海外企業へ進出できる伸びしろはまだまだあります。・沖電気半導体部門買収により、通信・音響の分野にも積極的に進出しています。 また、血液検査用バイオチップも開発。血液検査が10分で可能になる画期的な製品です。
■沿革:前社長の佐藤研一郎氏が、大学在学中に考案した小型抵抗器のメーカーとして1958年に設立しました。 創業者が元エンジニアということもあり、品質へのこだわりが強い企業です。・設立後、抵抗器の開発・販売を行いながら業績を拡大し、1969年にトランジスタやダイオードなどの半導体分野へ進出。 2年後の1971年には、日系企業として初めてシリコンバレーへ進出し、ICの開発拠点を開設しました。
■社風:・『出る杭は伸ばす』社風です。

求人一覧

1~20件(28件)

募集中の求人職種を一覧でご紹介しています。

オープンポジション【京都もしくは横浜】

仕事内容

「現在募集中の職種では経験がいかせない」
「どの職種が希望と合致するのか定まらない」
「転職活動時期がマッチしない」

等に該当する場合はこちらにエントリーください。

ご登録いただいた情報を拝見し、ご経験とスキルにマッチした職務がある場合のみご案内させていただきます。

なお、職務によって募集時期が異なるため、
ご案内時期は確約致しかねますが何卒ご了承ください。

年収
500万円〜900万円※経験に応ず
勤務地
京都府

人事【京都】

仕事内容

■人的資源管理・組織管理
■採用
■人事・給与・働き方制度の企画・運用
■人材育成 等

※分業しておりますので一度に全ての担当となることはありませんが、基幹職として将来的にはいくつかの業務を経験し、リーダーとなって頂くことを求めております。

年収
400万円〜800万円※経験に応ず
勤務地
京都府

知的財産【横浜】

仕事内容

LSI及びディスクリート、モジュール製品の特許出願・権利化業務

年収
500万円〜850万円※経験に応ず
勤務地
神奈川県

テスト開発エンジニア【横浜テクノロジーセンター】

仕事内容

■同社半導体製品のテスト開発業務
■海外開発拠点での機種立ち上げ効率化のための基盤の策定と運用・改善
■海外開発拠点と海外生産拠点とのハブ機関として中心的役割を担う
■海外開発拠点と海外生産拠点と共同で新規デバイスのテスト使用、テスト回路設計、設備製作、デバッグ、評価を行う

年収
500万円〜900万円※経験に応ず
勤務地
神奈川県

デバイスインテグレーション開発エンジニア【京都本社】

仕事内容

■IGBT、DiodeなどのSiデバイス開発エンジニア
■IGBT、Diodeの開発業務、Wafer Processインテグレーション技術構築業務となります。

【同社の商材】
顧客のニーズに対応した高付加価値のLSIをはじめ、高演色・低消費電力のLED、省エネルギー・省スペース・高信頼性を実現したトランジスタやダイオード、パワーモジュール、半導体レーザ、抵抗器などの製品シリーズを取り揃えています。カスタマイズ商材に強みを持っています。

年収
500万円〜700万円※経験に応ず
勤務地
京都府

IPM開発エンジニア【京都本社】

仕事内容

■パワーデバイス駆動用アナログLSI回路設計
■パワーモジュールパッケージ開発

※自動車、エアコン、産業機器など今後ますます要求される省エネ化に貢献できるパワーデバイスの商品化に携わって頂きます。

※IGBT、MOSFET、SiCといったパワーデバイスとLSIを1モジュールパッケージに混載したインテリジェントパワーモジュール(IPM)の開発が職務内容となります。

※募集職種としてはLSI回路設計をメインとしたIPM商品開発とパワーモジュールパッケージ開発となります。

年収
500万円〜850万円※経験に応ず
勤務地
京都府

SiCパワーデバイス開発エンジニア【京都本社】

仕事内容

■SiC(シリコンカーバイト)は次世代の半導体材料として注目されており、従来のSi半導体に比べ、小型化・低消費電力化・高効率化が可能なパワー素子が実現出来ます。
■既に2012年に製品化もしており、新製品の開発を行って頂きます。

【具体的には・・・】
■SiCパワーデバイス開発・設計
■SiCパワーデバイスプロセス開発

【同社の商材】
顧客のニーズに対応した高付加価値のLSIをはじめ、高演色・低消費電力のLED、省エネルギー・省スペース・高信頼性を実現したトランジスタやダイオード、パワーモジュール、半導体レーザ、抵抗器などの製品シリーズを取り揃えています。カスタマイズ商材に強みを持っています。

年収
500万円〜850万円※経験に応ず
勤務地
京都府

社内SE(基幹システム企画・設計・開発)【京都】

仕事内容

■オープン系技術を利用した、基幹システムの企画・設計・開発業務

ロームでは、全世界の販売拠点・生産拠点のシステムを企画から設計・開発までの全ての工程を社員のみで完全内製化しています。

あなたの企画・設計したシステムで会社を変えてみませんか。

【同社の商材】
顧客のニーズに対応した高付加価値のLSIをはじめ、高演色・低消費電力のLED、省エネルギー・省スペース・高信頼性を実現したトランジスタやダイオード、パワーモジュール、半導体レーザ、抵抗器などの製品シリーズを取り揃えています。カスタマイズ商材に強みを持っています。

年収
450万円〜800万円※経験に応ず
勤務地
京都府

GaNパワーデバイス開発エンジニア≪電源設計≫【京都本社】

仕事内容

■GaNデバイスを用いた電源回路設計、評価
■GaNデバイスの海外拡販

【GaNパワーデバイスとは】
■GaN(窒化ガリウム)とは、次世代パワーデバイスに用いられる半導体材料のことです。
■物性に優れており、高周波特性を活かし、低耐圧領域で採用が始まっています。
■例えば、GaNパワーデバイスを、DC/DCコンバータやインバータなどの電源装置に搭載すれば、電力変換効率の向上や装置の小型化などを実現できます。
■既に量産化が始まっているSiC(シリコン・カーバイド)を補完するパワーデバイスとして、今後も普及が期待されています。

年収
500万円〜850万円※経験に応ず
勤務地
京都府

パワー半導体デバイス生産技術エンジニア【京都本社】

仕事内容

■パワー半導体の組み立て工程開発、改善業務を担当いただきます。

※海外工場の生産量UPに向けた取り組みを現地スタッフと連携して進めていただきます。

【同社の商材】
顧客のニーズに対応した高付加価値のLSIをはじめ、高演色・低消費電力のLED、省エネルギー・省スペース・高信頼性を実現したトランジスタやダイオード、パワーモジュール、半導体レーザ、抵抗器などの製品シリーズを取り揃えています。カスタマイズ商材に強みを持っています。

年収
500万円〜850万円※経験に応ず
勤務地
京都府

経理≪税務≫【京都】【東証一部上場企業】

仕事内容

■移転価格税制およびBEPS対策税制の対応
■本社および国内外子会社の税務調査対応
■税務コンプライアンス推進 等

※入社当初は税務業務を担当していただきますが、その後は業務ローテーション(決算、原価計算等)も可能です。

【残業時間】
10時間~20時間程度/月

年収
500万円〜850万円※経験に応ず
勤務地
京都府

SiCパワーデバイス開発エンジニア【福岡】

仕事内容

■SiC(シリコンカーバイト)は次世代の半導体材料として注目されており、従来のSi半導体に比べ、小型化・低消費電力化・高効率化が可能なパワー素子が実現出来ます。
■既に2012年に製品化もしており、新製品の開発を行って頂きます。

【具体的には・・・】
■SiCパワーデバイス開発・設計
■SiCパワーデバイスプロセス開発

【同社の商材】
顧客のニーズに対応した高付加価値のLSIをはじめ、高演色・低消費電力のLED、省エネルギー・省スペース・高信頼性を実現したトランジスタやダイオード、パワーモジュール、半導体レーザ、抵抗器などの製品シリーズを取り揃えています。カスタマイズ商材に強みを持っています。

年収
500万円〜850万円※経験に応ず
勤務地
福岡県

SiCパワーデバイス開発エンジニア【宮崎】

仕事内容

■SiC(シリコンカーバイト)は次世代の半導体材料として注目されており、従来のSi半導体に比べ、小型化・低消費電力化・高効率化が可能なパワー素子が実現出来ます。
■既に2012年に製品化もしており、新製品の開発を行って頂きます。

【具体的には・・・】
■SiCパワーデバイス開発・設計
■SiCパワーデバイスプロセス開発

【同社の商材】
顧客のニーズに対応した高付加価値のLSIをはじめ、高演色・低消費電力のLED、省エネルギー・省スペース・高信頼性を実現したトランジスタやダイオード、パワーモジュール、半導体レーザ、抵抗器などの製品シリーズを取り揃えています。カスタマイズ商材に強みを持っています。

年収
500万円〜850万円※経験に応ず
勤務地
宮崎県

デバイスインテグレーション開発エンジニア【福岡】

仕事内容

■IGBT、DiodeなどのSiデバイス開発エンジニア
■IGBT、Diodeの開発業務、Wafer Processインテグレーション技術構築業務となります。

【同社の商材】
顧客のニーズに対応した高付加価値のLSIをはじめ、高演色・低消費電力のLED、省エネルギー・省スペース・高信頼性を実現したトランジスタやダイオード、パワーモジュール、半導体レーザ、抵抗器などの製品シリーズを取り揃えています。カスタマイズ商材に強みを持っています。

年収
500万円〜700万円※経験に応ず
勤務地
福岡県

半導体プロセスエンジニア【滋賀工場】

仕事内容

プロセスまたはデバイスエンジニアとして、新規プロセスの開発業務に携わって頂きます。

■MOSFET/IGBT/Diode/LSIのプロセスインテグレーション開発
■歩留り、品質改善


【同社の商材】
顧客のニーズに対応した高付加価値のLSIをはじめ、高演色・低消費電力のLED、省エネルギー・省スペース・高信頼性を実現したトランジスタやダイオード、パワーモジュール、半導体レーザ、抵抗器などの製品シリーズを取り揃えています。カスタマイズ商材に強みを持っています。

年収
450万円〜850万円※経験に応ず
勤務地
滋賀県

付帯設備技術者【滋賀工場】

仕事内容

滋賀工場の付帯設備機器の保守・管理・改善業務に携わって頂きます。

【具体的には・・・】
■付帯設備機器の点検業務
■機器整備
■薬品/消耗品 発注業務
■軽微な機器整備/保全業務
■薬品ローリー立会い/薬品補充作業
■付帯設備機器の改善提案/実施(省エネ/コスト削減活動)

【同社の商材】
顧客のニーズに対応した高付加価値のLSIをはじめ、高演色・低消費電力のLED、省エネルギー・省スペース・高信頼性を実現したトランジスタやダイオード、パワーモジュール、半導体レーザ、抵抗器などの製品シリーズを取り揃えています。カスタマイズ商材に強みを持っています。

年収
400万円〜800万円※経験に応ず
勤務地
滋賀県

半導体プロセス工程保全エンジニア【滋賀工場】

仕事内容

MOSFET/IGBT/Diode/LSI等の半導体製品製造過程の生産性向上に向けて、裏面工程または、ウエハテスト工程での不具合品処置及び解析に携わって頂きます。


【同社の商材】
顧客のニーズに対応した高付加価値のLSIをはじめ、高演色・低消費電力のLED、省エネルギー・省スペース・高信頼性を実現したトランジスタやダイオード、パワーモジュール、半導体レーザ、抵抗器などの製品シリーズを取り揃えています。カスタマイズ商材に強みを持っています。

年収
350万円〜700万円※経験に応ず
勤務地
滋賀県

オープンポジション【滋賀】

仕事内容

「現在募集中の職種では経験がいかせない」
「どの職種が希望と合致するのか定まらない」
「転職活動時期がマッチしない」

等に該当する場合はこちらにエントリーください。

ご登録いただいた情報を拝見し、ご経験とスキルにマッチした職務がある場合のみご案内させていただきます。

なお、職務によって募集時期が異なるため、
ご案内時期は確約致しかねますが何卒ご了承ください。

年収
500万円〜900万円※経験に応ず
勤務地
滋賀県

アナログLSI回路設計エンジニア【京都本社】

仕事内容

アナログLSI回路設計エンジニア:LSI仕様設計、回路設計、Simulation、評価、テスト開発

【技術領域】
車載向け汎用LSI、ADC LSI、車載ゲートドライバLSI、車載向け電源LSI、モータードライバLSIなど

※ご経験に応じて、担当製品を決定致します。

年収
500万円〜850万円※経験に応ず
勤務地
京都府

アナログLSI回路設計エンジニア【横浜テクノロジーセンター】

仕事内容

アナログLSI回路設計エンジニア:LSI仕様設計、回路設計、Simulation、評価、テスト開発

【技術領域】
車載向け汎用LSI、ADC LSI、車載ゲートドライバLSI、車載向け電源LSI、モータードライバLSIなど

※ご経験に応じて、担当製品を決定致します。

年収
500万円〜850万円※経験に応ず
勤務地
神奈川県

会社概要

事業内容

■半導体をはじめとする電子部品の開発・製造・販売

■製品品目・IC・LSI、トランジスタ、ダイオード、レーザーダイオード、LEDランプ、センサ、LEDディスプレイ、 抵抗器、タンタルコンデンサ、パワーモジュール、フォトリンクモジュール、イメージセンサヘッド、 サーマルプリントヘッド 他

■事業所・本社/京都・開発拠点/京都・新横浜・アメリカ・中国・ドイツなど11ヶ所・生産拠点/京都など国内10ヶ所、タイ・フィリピンなど海外11ヶ所・営業拠点/京都・新横浜など国内11ヶ所、アメリカ・ドイツ・イギリス・フランス・シンガポールなど海外59ヶ所

設立1958年09月
資本金86969百万円
従業員数3261人
売上高362885百万円
株式公開東証一部

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