- 入社実績あり
次世代高周波・光デバイスに向けた化合物半導体基盤技術の開発三菱電機株式会社
三菱電機株式会社
◆化合物半導体高周波・光デバイスの開発を担当していただきます。材料はIII-V族を想定しています。シミュレーション技術を活用したデバイス物理性能設計、デバイス試作評価、デバイス計測評価技術開発、パッケージ開発、信頼性評価等、を行い、次世代デバイスを市場投入できる製品に仕上げるための基盤技術開発を行います。【業務内容例】 ※一部業務を外部(所内、社内、社外)に委託し、連携して推進することを含みます①開発構想(技術・文献調査、市場・顧客調査)②物理設計(性能シミュレーション)③工程設計(フォトマスクパターン、工程フロー、工程別処理条件の設定)④新規要素技術導入(新規プロセス、新規材料) ⑤試作工程管理 (試作品の各工程の出来映え確認、進捗管理)⑥試作品評価 (性能評価、信頼性試験、不良解析)⑦パッケージ (半導体チップを固定し配線するパッケージの開発)⑧評価技術開発 (特性評価技術、信頼性試験技術)※将来的には、新規基盤技術開発のリーダー/マネージャーとしてグループの牽引。【募集背景】■1960年代より積み重ねてきた研究開発の歴史を継承し、今もなお進化を続ける当社の化合物半導体技術。その技術から生み出される高周波・光デバイスは、AIの普及で大量の情報を処理するデータセンター、5Gなどの通信インフラ、センシング等に使用されており、性能面で他社の追随を許さず、国内外でトップクラスのシェアを誇ります。近年、通信トラフィックは急速に増大しており、お客様からの期待に応えるため、この度生産能力を大きく引き上げる「増産」へと踏み出すことになりました。お客様からの期待は現行製品にとどまらず、当社が保有する化合物半導体コア技術を拡張した次世代デバイスにも向けられています。これに応えるため、半導体デバイスの物理特性の設計、半導体デバイスの試作評価、の実務経験を持つエンジニアを募集します。【組織構成】■半導体デバイス事業本部└ 高周波光デバイス製作所 └ 先進技術開発センター(14名)【組織のミッション】■本部・事業部国内・海外顧客並びに社内部門に対する高周波デバイス製品・光デバイス製品・赤外線センサデバイス製品の販売・開発■先進技術開発センター新規基盤技術開発推進およびその調査、戦略立案、設計、試作評価【業務のやりがい】■先進技術開発センターの開発は難度の高い業務ですが、以下の5点を両立できるやりがいの大きい業務です。(1)将来の市場規模の大幅拡大が見込まれる、(2)基盤技術開発・製品開発の初期段階から参画できる、(3)自分の戦略、アイディアを開発計画、新製品の強みに生かすことが出来、戦略立案・推進に長けた製作所各部門との議論を通じてブラッシュアップできる、(4)開発の基となる競争力の高いコア技術が利用でき、量産にも反映できる、(5)きちんと成果が出る。【優位性/PR(製品やサービスの強み・業界情報等)】■当社の高周波デバイス、光デバイスは、開発から量産まで一貫して北伊丹地区でウエハ製造を行っています。培ったコア技術(設計技術、結晶成長技術、ウエハプロセス技術、品質保証技術、等)は現在でも世界トップシェア製品を複数有し、市場価格の下落や中国等競合他社との競争など、厳しい事業環境に置かれながらも高い収益性を実現する強みを持ち続けています。先進技術開発センターは、これらの強みを生かした基盤技術開発を行い、新しい市場を開拓します。【高周波光デバイス製作所について】■当所で製作している高周波・光デバイスは、AIの普及で大量の情報を処理するデータセンター、5Gなどの通信インフラ、センシング等に使用されており、世界的に高い評価とシェアを有しています。■2024年時点でデータセンター用EMLチップを累計6000万個、5G基地局用GaNモジュールを累計100万個出荷を突破。■将来性◎・23~24年度にかけてEMLチップの生産能力を20年度比5倍に拡大する投資を実施しましたが、データセンター向けの旺盛な需要に対応するため、26年度に24年比1.5倍、28年度には26年度比2倍に拡大する投資を決定し、三菱電機でも最注力事業となっております。
- 勤務地
- 兵庫県 大阪府
- 年収
- 530万円~1200万円
- 職種
- 半導体設計
更新日 2026.02.12

