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山梨県のその他回路設計(電源・高周波・レイアウト)の転職・求人情報

山梨県のその他回路設計(電源・高周波・レイアウト)の転職 求人数は4件です。

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検索結果一覧4件(1~4件表示)
    • 入社実績あり

    【横浜】高周波デバイス・増幅器設計開発☆住友電工G

    住友電工デバイス・イノベーション株式会社

    • フレックスタイム制度
    • 正社員
    • 土日休み

    化合物半導体デバイスを開発・製造・販売している同社で、高周波デバイス、および増幅器設計開発をお任せいたします。【具体的に】■半導体トランジスタの評価・モデリング■回路シミュレータへのモデル実装■モデルを用いた解析シミュレーション■モデルを用いた増幅器回路の技術開発【配属部署】電子デバイス事業部プロセス開発部【同社の化合物半導体】化合物半導体には、「ガリウム砒素・インジウムリン・窒化ガリウム」等の素材が使用されています。高速動作や受発光機能、熱に強い特性があり、大容量かつ高速の情報処理が可能。【採用背景】携帯電話の基地局の無線通信装置に使われている化合物半導体デバイスは5G、IoT技術に寄与し、国内外で非常に伸びているため、5G/IoTを用いたインフラ構築に貢献したい仲間を募集します。【おすすめポイント】GaNトランジスタは高効率・高出力が求められる次世代通信分野で注目されています。材料開発からトランジスタのモデル化、特性評価、さらに最適な回路設計まで、一連の流れに深く関われることが大きな特徴です。理論と実践の両面から新技術の開発に携わり、社会課題の解決や産業発展に貢献できる点に強いやりがいを感じることができます。

    勤務地
    山梨県
    年収
    450万円~800万円
    職種
    その他回路設計(電源・高周波・レイアウト)

    更新日 2026.03.07

    • 入社実績あり

    【山梨/半導体レーザ設計開発・プロセス開発】☆住友電工G

    住友電工デバイス・イノベーション株式会社

    • フレックスタイム制度
    • 正社員
    • 土日休み

    【期待する役割】生成AIの普及やデータセンタ需要の急拡大を背景に、高効率・高出力・高速変調を実現する次世代半導体レーザ/半導体光アンプの開発を牽引する中核エンジニアとしてご活躍いただきます。顧客要求を踏まえた製品設計から、結晶成長・プロセス技術開発、評価・量産展開までを一気通貫で担い、競争が激化する光通信デバイス分野において、他社に先駆けた製品創出に貢献していただくことを期待しています。また、将来的な技術基盤構築や後進育成にも関わり、技術組織の中核としての役割も担っていただきます。【職務内容】半導体レーザ(主にDFBレーザ)および半導体光アンプに関する設計・開発業務を中心に、以下の業務を担当していただきます。■顧客要求仕様に基づく半導体レーザ/光アンプの構造設計■結晶成長技術およびプロセス技術の開発・最適化■試作・評価における他部門(製造、評価、品質等)との連携・調整■高効率化・高出力化・高速変調を実現するための要素技術開発■開発データの解析および課題抽出・改善提案■チームメンバーや若手技術者への技術指導・育成※研究寄りの業務に留まらず、「製品化」「市場投入」を強く意識した開発に携われる点が特長です。【配属部署】光デバイス事業部光素子設計部【同社の化合物半導体】化合物半導体には、「ガリウム砒素・インジウムリン・窒化ガリウム」等の素材が使用されています。高速動作や受発光機能、熱に強い特性があり、大容量かつ高速の情報処理が可能。【採用背景】携帯電話の基地局の無線通信装置に使われている化合物半導体デバイスは5G、IoT技術に寄与し、国内外で非常に伸びているため、5G/IoTを用いたインフラ構築に貢献したい仲間を募集します。【おすすめポイント】■データセンタ・AIインフラを支える最先端光デバイス開発の中核に携われる■設計~結晶成長~プロセス~評価まで技術を縦断的に磨ける環境■新製品を「最速で市場に出す」ことを本気で求められる、やりがいの大きい開発ポジション

    勤務地
    山梨県
    年収
    450万円~800万円
    職種
    その他回路設計(電源・高周波・レイアウト)

    更新日 2026.02.08

    • 入社実績あり

    【山梨】高周波デバイス・増幅器設計開発☆住友電工G

    住友電工デバイス・イノベーション株式会社

    • フレックスタイム制度
    • 正社員
    • 土日休み

    化合物半導体デバイスを開発・製造・販売している同社で、高周波デバイス、および増幅器設計開発をお任せいたします。【具体的に】■携帯電話基地局向けGaN-HEMTを用いたデバイス、増幅器設計開発■顧客向けドハティ増幅器の設計開発■高周波シミュレータADS, MWOを用いた設計、解析■試作品の高周波特性、信頼性評価■高周波パッケージ開発、および生産技術■パッケージ技術開発、試作、製造立上■製造工程の問題に対する改善検討※保有スキルにより業務を振り分けは可能。【配属部署】電子デバイス事業部【同社の化合物半導体】化合物半導体には、「ガリウム砒素・インジウムリン・窒化ガリウム」等の素材が使用されています。高速動作や受発光機能、熱に強い特性があり、大容量かつ高速の情報処理が可能。【採用背景】携帯電話の基地局の無線通信装置に使われている化合物半導体デバイスは5G、IoT技術に寄与し、国内外で非常に伸びているため、5G/IoTを用いたインフラ構築に貢献したい仲間を募集します。【同社の強み】化合物半導体の基板・エピ・プロセス・素子開発・デバイス開発(回路、実装)の垂直統合、世界的にも唯一)を活かして、プロセスを起点に前後工程の開発・製造へローテーション

    勤務地
    山梨県
    年収
    450万円~800万円
    職種
    その他回路設計(電源・高周波・レイアウト)

    更新日 2026.03.07

  • 【電気エンジニア】大手メーカーと取引多数!制度/研修制度充実

    人材ビジネス

    • Iターン・Uターン
    • 未経験可

    【期待する役割】・主に装置各モジュールの構造設計全般(例:プロセスモジュール、搬送ユニット ステージヒーター 他)を担当していただきます。・各種評価試験と結果のフィードバックなど※一部クリーンルーム内作業あり【入社後】・入社時研修を1日間受講いただきます。【教育制度】入社3年目に入ったタイミングで弊社のキャリア支援制度を活用し、今よりもさらにスキルアップした業務シフト、またご希望に合わせてUターン・Iターンも相談可能です!キャリアアップに向けてサポートいたします。【キャリアパス】最先端の半導体製造装置の開発に携わることができる機会は滅多にありません。現場で培った、そのスキルをもって市場価値をさらに高めてキャリアアップを目指しましょう!

    年収
    350万円~800万円※経験に応ず
    職種
    電気設計・シーケンス設計

    更新日 2025.06.01

  • 検索結果一覧4件(1~4件表示)

    年収800万円以上、年収アップ率61.7%

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