- 入社実績あり
【化合物半導体エピタキシャル成長技術開発/横浜】住友電工G住友電工デバイス・イノベーション株式会社
住友電工デバイス・イノベーション株式会社
【期待する役割】5G/6G基地局向けGaN-HEMTデバイスの性能を左右するエピタキシャル結晶成長の技術開発および量産展開を担うポジションです。MOCVD等を用いた結晶成長プロセスの開発から、量産ラインへの展開までを一貫してご担当いただきます。【業務内容】■GaN系化合物半導体のエピタキシャル結晶成長プロセスの技術開発■MOCVD等を用いた結晶成長条件の最適化■新製品・新構造に対応する結晶成長技術の確立■量産ラインへの技術展開・歩留まり安定化■結晶品質の評価・解析【配属部署】電子デバイス事業部プロセス開発部
- 勤務地
- 神奈川県
- 年収
- 450万円~800万円
- 職種
- 生産技術・プロセス開発
更新日 2026.07.01