【化合物半導体エピタキシャル成長技術開発/横浜】住友電工G住友電工デバイス・イノベーション株式会社
住友電工デバイス・イノベーション株式会社
【期待する役割】次世代通信インフラを支える高周波GaN HEMTデバイスの中核技術であるエピタキシャル結晶成長において、研究開発から量産展開までを一貫して担っていただくポジションです。単なる研究に留まらず、実用化・量産化を見据えた技術確立と生産現場への展開を通じて、世界トップクラスの化合物半導体デバイス競争力の強化に貢献いただくことを期待しています。【業務内容】高周波GaN HEMT向けエピタキシャルウェハに関する技術開発および量産対応を担当していただきます。■高周波GaN HEMT用エピタキシャルウェハの構造設計■GaN HEMT向けエピタキシャル成長技術の研究・開発■成膜条件の最適化、特性評価、課題抽出および改善検討■生産技術開発および量産ラインへの技術移管・展開■新規プロセス装置の選定、導入、立ち上げ対応■関係部門(デバイス・製造・品質等)との連携による量産安定化推進※研究テーマを「成果」で終わらせず、量産技術として定着させる経験が積める環境です。【配属部署】電子デバイス事業部プロセス開発部
- 勤務地
- 神奈川県
- 年収
- 450万円~800万円
- 職種
- 生産技術・プロセス開発
更新日 2026.02.09