【横浜/半導体レーザ設計開発・プロセス開発】☆住友電工G住友電工デバイス・イノベーション株式会社
住友電工デバイス・イノベーション株式会社
【期待する役割】次世代通信分野で注目される高周波GaNトランジスタを中心に、デバイス特性を正確に捉えたモデリング技術の開発と、それを活用した増幅器回路設計・技術開発を担っていただきます。デバイス評価・解析から回路設計まで一貫して関わり、顧客要求に迅速に応える技術基盤の強化に貢献いただくポジションです。【職務内容】■高周波化合物半導体トランジスタ(主にGaN)の評価およびモデリング業務■トランジスタモデルの回路シミュレータへの実装■モデルを用いた特性解析・シミュレーション■モデルを活用した高周波増幅器回路の技術開発■デバイス特性と回路性能の両面からの課題抽出・改善検討※材料・デバイス・回路を横断しながら、理論と実践を行き来する技術開発に携わっていただきます。【配属部署】電子デバイス事業部プロセス開発部【同社の化合物半導体】化合物半導体には、「ガリウム砒素・インジウムリン・窒化ガリウム」等の素材が使用されています。高速動作や受発光機能、熱に強い特性があり、大容量かつ高速の情報処理が可能。【おすすめポイント】GaNトランジスタという次世代通信インフラの中核技術を対象に、デバイスのモデル化 → 特性理解 → 回路設計への展開まで一連の流れに深く関与できます。単なる分業ではなく、デバイスと回路をつなぐ技術者として専門性を高めながら、社会的インパクトの大きい製品・技術開発に携われる点が大きな魅力です。
- 勤務地
- 神奈川県
- 年収
- 450万円~800万円
- 職種
- その他回路設計(電源・高周波・レイアウト)
更新日 2026.02.08