住友電工デバイス・イノベーション株式会社

【化合物半導体エピタキシャル成長技術開発/横浜】住友電工G

【期待する役割】
次世代通信インフラを支える高周波GaN HEMTデバイスの中核技術であるエピタキシャル結晶成長において、
研究開発から量産展開までを一貫して担っていただくポジションです。
単なる研究に留まらず、実用化・量産化を見据えた技術確立と生産現場への展開を通じて、
世界トップクラスの化合物半導体デバイス競争力の強化に貢献いただくことを期待しています。

【業務内容】
高周波GaN HEMT向けエピタキシャルウェハに関する技術開発および量産対応を担当していただきます。
■高周波GaN HEMT用エピタキシャルウェハの構造設計
■GaN HEMT向けエピタキシャル成長技術の研究・開発
■成膜条件の最適化、特性評価、課題抽出および改善検討
■生産技術開発および量産ラインへの技術移管・展開
■新規プロセス装置の選定、導入、立ち上げ対応
■関係部門（デバイス・製造・品質等）との連携による量産安定化推進
※研究テーマを「成果」で終わらせず、量産技術として定着させる経験が積める環境です。

【配属部署】
電子デバイス事業部プロセス開発部

世界40数カ国に約400社のグループ会社を有する住友電工グループの、電子デバイス・光デバイス事業を担っている、通信インフラ用デバイスのトップメーカーです。シリコン半導体は安価ではあるものの、昨今のSDGｓの流れで省電力で小型の化合物半導体へ置き換えが増えてきています。同社の大手の販売先は分散しており、9割が海外顧客で半導体需要に伴い今後も安定的な受注を見込んでいます。

同社は、電子デバイスや光デバイスの開発・製造を行っておりますが、その中でも、携帯電話基地局の無線通信装置に使われているGaN半導体デバイスは5G、IoT技術に寄与。また、近年はデータセンタ向けの光デバイス需要が急増しており、大型設備投資なども進めております。」に変更ください。
・多様な人材の活躍・ダイバーシティの推進しており、住友電工グループでは世界約40カ国で29万人以上の人材が活躍しています。生産性を意識したワークライフバランスも意識しており、全社の平均残業時間は20時間程度となります。

＜経験・スキル＞

【必須要件】
以下いずれかのご経験をお持ちの方
■半導体ウェハのエピタキシャル成長に関する研究・開発経験
■半導体プロセス装置の選定・導入・立ち上げ経験
■半導体プロセス技術（成膜、エッチング等）に関する実務経験

加えて、以下を満たす方
■英語による基礎的なコミュニケーション能力（TOEIC500点程度または同等レベル）

【歓迎要件】
■高周波向け化合物半導体エピタキシャルウェハの知識・経験
■GaN HEMT用エピタキシャル成長技術の開発経験
■エピウェハの生産技術開発および量産ライン展開の経験
■研究成果を製品・事業に結びつけた経験をお持ちの方

＜語学＞

■英語：読み書きレベル必須