- 入社実績あり
パワー半導体の研究開発/シェアトップクラスの総合電機メーカー富士電機株式会社
富士電機株式会社
【期待する役割】SiC/GaN等の次世代半導体材料を適用したパワーデバイスの研究開発業務をご担当頂きます。物性的な研究とデバイス開発の両面で研究開発に貢献頂けるポジションです。【業務概要】■物性解析:電気的特性評価、分析的評価、計算技術等を用いたメカニズム解明■プロセス開発:デバイス特性向上に向けたプロセス開発として、物理現象や材料特性をもとに検討、改善指針を構築■デバイス設計・試作・評価:SiC.GaNを用いたパワーデバイス構造の検討、プロセス設計、試作、評価【魅力】■「材料・物性の研究」と「デバイス開発」を分断せず、一気通貫で携われることが魅力です。SiC/GaNの材料特性や物理現象を解析し、「なぜこの特性になるのか」を解明するだけでなく、その知見をプロセス条件やデバイス構造へ落とし込み、実際に試作・評価まで行っていただきます。■単なるプロセス条件の最適化ではなく、「材料の現象を理解する→デバイスに落とす→特性を確認する→さらに改善する」という研究開発サイクルを自ら回せるポジションです。■「総合力」を強みとした技術基盤を保持しております。長年シリコンデバイスを使用した製品開発を行ってきたバックボーンや、半導体デバイスを使用する側のパワエレ事業まで幅広い技術を保有しています。■オープンイノベーションにも明るい姿勢の中で研究開発が可能です。新研究・新開発にも積極的にチャレンジ頂ける環境の為、社外交流や社外発表への関わりも交えながらキャリアアップが可能な環境です。【配属部門】■技術開発本部 次世代半導体研究センター WBGデバイス研究部【同社について】<同社について>■「発電・安定供給」を軸とした様々な事業セグメントを展開しています。■インフラや産業設備向けが多く、景気変動に左右されにくい「安定性」と各セグメントの「総合力」で電力事業に大きく貢献できる点が強みです。<事業について>■エネルギー領域:再生可能エネルギーの最大出力化や安定供給、エンジニアリングサービスの一括提供により脱炭素社会の実現に貢献しています。また、受変電設備やエネルギーマネジメントシステムの提供を通して、設備の安定稼働、最適運用に貢献しています。■インダストリー領域:パワーエレクトロニクス応用製品に計測機器やIoTwo組み合わせ、工場の自動化や見える化により生産性の向上と省エネを実現させています。鉄道や船舶分野にも信頼性の高い製品を提供し、社会インフラの安全・安心に貢献します。■半導体:産業分野、自動車分野において、低損失で高効率の電力変換をするパワー半導体で小型化、省電化に貢献しています。■食品流通:省人、省エネに貢献する自動販売機や安全・安心な食材の流通に貢献するショーケースやシステムを提供しています。
- 勤務地
- 東京都
- 年収
- 600万円~1050万円
- 職種
- 研究・製品開発
更新日 2026.10.15



