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化合物半導体ウエハプロセスのエピタキシャル成長【兵庫/伊丹】三菱電機株式会社
三菱電機株式会社
◆同社において、光通信用途を始めとしたデバイス開発を支える化合物半導体エピタキシャル成長技術開発を担当していただきます。結晶品質および量産安定性の最適化を目指し、設計・実験・解析・量産導入までを一貫して行います。【具体的には…】※業務内容例※■InP/GaAs/GaN 系のIII-V 族化合物半導体のエピタキシャル成長・MOCVD装置を用いたInP/GaAs/GaN 系のエピタキシャル成長・エピ成長条件(温度、圧力、V/III 比、キャリアガス流量)の設定・調整・デバイス仕様に応じたエピ構造の実現(量子井戸層、ヘテロ障壁層、ドーピング制御 など)■薄膜の評価および解析・エピ成長後の膜厚・組成の評価(XRD、SIMS、PL、TEM、SEM など)・欠陥密度、表面粗さ、歪み量など、品質に直結するパラメータの定量化・光学特性(PLピーク、吸収端)、電気特性(キャリア濃度、移動度)の解析● エピ成長条件の最適化と再現性向上・結晶品質のばらつき要因の特定(ガス分布、ヒータプロファイル、基板回転、温度均一性など)・エピ成長装置の経時変化を考慮した安定化手法の検討・量産ラインでの再現性確保に向けた条件最適化・エピ成長装置のメンテナ・安定動作管理■新規材料/構造のプロセス開発・高速・低消費電力デバイス向けの多重量子井戸(MQW)構造の開発・新デバイス用途への新規材料展開※将来的には、エピタキシャル成長技術のリーダー/マネージャーとしてグループの牽引。【募集背景】■1960年代より積み重ねてきた研究開発の歴史を継承し、今もなお進化を続ける当社の化合物半導体技術。その技術から生み出される高周波・光デバイスは、AIの普及で大量の情報を処理するデータセンター、5Gなどの通信インフラ、センシング等に使用されており、性能面で他社の追随を許さず、国内外でトップクラスのシェアを誇ります。近年、通信トラフィックは急速に増大しており、お客様からの期待に応えるため、この度生産能力を大きく引き上げる「増産」へと踏み出すことになりました。これら最先端デバイスの性能を支える要となるのが、エピタキシャル成長技術です。新規デバイス構造の開発や量産プロセスの高度化に対応するため、エピタキシャル成長分野の実務経験を持つエンジニアを新たに募集します。【組織構成】■ウエハ製造部 エピ技術課【組織のミッション】■ウエハ製造部高周波デバイス・光デバイスの半導体ウエハ製造、エピ/プロセスの生産技術、要素技術開発■エピ技術課高周波デバイス・光デバイスのエピ構造開発、エピ量産技術【業務のやりがい】■原子オーダーで薄膜を制御するエピタキシャル成長技術は世界トップクラスのシェアを持つ光通信デバイスの性能を支える中核技術であり、「光」を生み出す最上流工程を担う事ができます。成長条件の最適化から量産化まで、自ら設計したプロセスが製品性能に直結し、理論(量子力学・固体物理)を実装に落とし込む高度なエンジニアリングを実践することができます。【想定キャリアパス】■エピ成長の技術開発と量産管理のとりまとめ業務を経て、成果と能力次第で管理職に登用。■エピ成長技術をベースに、プロセス要素技術や製品設計に携わるキャリアプランも可能。【高周波光デバイス製作所について】■当所で製作している高周波・光デバイスは、AIの普及で大量の情報を処理するデータセンター、5Gなどの通信インフラ、センシング等に使用されており、世界的に高い評価とシェアを有しています。■甲子園球場約2.7個分に相当する10.4万m?の敷地に、光デバイスの量産拠点であるNVL棟、高周波デバイスを生産するU棟、実験や技術開発を行うC棟などを配し、従業員約780人が在籍しています。■2024年時点でデータセンター用EMLチップを累計6000万個、5G基地局用GaNモジュールを累計100万個出荷を突破。■将来性◎・23~24年度にかけてEMLチップの生産能力を20年度比5倍に拡大する投資を実施しましたが、データセンター向けの旺盛な需要に対応するため、26年度に24年比1.5倍、28年度には26年度比2倍に拡大する投資を決定し、三菱電機でも最注力事業となっております。
- 勤務地
- 兵庫県
- 年収
- 530万円~1100万円
- 職種
- 半導体設計
更新日 2025.12.01