化合物半導体デバイスを開発・製造・販売している同社で、高周波デバイス、および増幅器設計開発をお任せいたします。【具体的に】■携帯電話基地局向けGaN-HEMTを用いたデバイス、増幅器設計開発■顧客向けドハティ増幅器の設計開発■高周波シミュレータADS, MWOを用いた設計、解析■試作品の高周波特性、信頼性評価■高周波パッケージ開発、および生産技術■パッケージ技術開発、試作、製造立上■製造工程の問題に対する改善検討※保有スキルにより業務を振り分けは可能。【配属部署】電子デバイス事業部【同社の化合物半導体】化合物半導体には、「ガリウム砒素・インジウムリン・窒化ガリウム」等の素材が使用されています。高速動作や受発光機能、熱に強い特性があり、大容量かつ高速の情報処理が可能。【採用背景】携帯電話の基地局の無線通信装置に使われている化合物半導体デバイスは5G、IoT技術に寄与し、国内外で非常に伸びているため、5G/IoTを用いたインフラ構築に貢献したい仲間を募集します。【同社の強み】化合物半導体の基板・エピ・プロセス・素子開発・デバイス開発(回路、実装)の垂直統合、世界的にも唯一)を活かして、プロセスを起点に前後工程の開発・製造へローテーション
- 勤務地
- 山梨県
- 年収
- 450万円~800万円※経験に応ず
- 職種
- その他回路設計(電源・高周波・レイアウト)